HMDS（六甲基二硅氮烷）烘箱使用

HMDS（六甲基二硅氮烷）烘箱在半導體光刻工藝中用于增強光刻膠與基片（如硅片）的粘附性。以下是其典型使用工藝及注意事項：

一、HMDS烘箱使用工藝流程

1. 設備準備 ?

? 確保烘箱清潔無塵，通風系統正常（HMDS蒸氣有毒，需有效排放）。 ?

? 預熱烘箱至設定溫度（通常為150-200℃，具體根據工藝要求調整）。

2. 基片預處理 ?

? 清洗基片：去除表面有機物和顆粒（常用丙酮、異丙醇、去離子水清洗，氮氣吹干）。 ?

? 脫水烘烤：將基片在100-120℃下烘烤5-10分鐘，去除殘留水分。

3. HMDS涂覆 ?

? 氣相法（常用）： ?

? ? 1. 將基片放入HMDS烘箱，注入液態HMDS（劑量約1-2ml/片）。 ?

? ? 2. 在真空或惰性氣體（如氮氣）環境下，HMDS蒸發并吸附在基片表面。 ?

? ? 3. 涂覆時間通常為5-10分鐘。 ?

? 旋涂法：將液態HMDS滴在基片表面，高速旋轉甩勻，再轉入烘箱。

4. 烘烤固化 ?

? 溫度：180-200℃（典型值）。 ?

? 時間：1-5分鐘，形成致密的疏水層。 ?

? 注意：避免溫度過高或時間過長，否則可能導致HMDS分解失效。

5. 冷卻與轉移 ?

? 烘烤結束后，關閉加熱，通氮氣冷卻至室溫（避免驟冷導致基片應力）。 ?

? 快速轉移至光刻機進行涂膠，防止表面重新吸附水汽。

二、適用場景

基片類型：硅片、玻璃、金屬（如鋁、銅）等。 ?

工藝節點：適用于高分辨率光刻（如IC制造、MEMS、封裝等）。

通過合理控制HMDS涂覆和烘烤參數，可顯著提升光刻膠的粘附性，減少顯影或刻蝕過程中的剝離缺陷。建議根據具體設備手冊和工藝驗證結果微調參數。